亞洲知識產權資訊網為知識產權業界提供一個一站式網上交易平台，協助業界發掘知識產權貿易商機，並與環球知識產權業界建立聯繫。無論你是知識產權擁有者正在出售您的知識產權，或是製造商需要購買技術以提高操作效能，又或是知識產權配套服務供應商，你將會從本網站發掘到有用的知識產權貿易資訊。
Optimized Vertical Power DMOSFETS in Silicon Carbide
總結
Researchers at Purdue University have developed a structure and method of fabrication of a vertical DMOSFET in silicon carbide that achieves minimum on-state resistance and maximum breakdown voltage.
技術優勢
Increases breakdown voltage without increasing internal resistivityProvides consistent internal resistance at a greater operating temperature range
技術應用
MaterialsManufacturing
詳細技術說明
James Cooper Jr.Purdue Electrical and Computer Engineering
國家
United States
申請號碼
7,498,633
國家/地區
美國
欲了解更多信息，請點擊 這裡
