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High Voltage N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) in Silicon Carbide
總結
A Purdue University researcher has developed a method and process for fabricating IGBTs in SiC. The method avoids the high resistance introduced from substrates in current manufacturing methods, while preserving the advantages of an N-type MOS channel.
技術優勢
Provides enhanced conductivityP+ substrates are removed Very high parasitic saves resistance
技術應用
MaterialsManufacturingCircuitryMicroelectronicsNanoelectronics
詳細技術說明
James Cooper Jr.Purdue Electrical and Computer Engineering
國家
United States
申請號碼
8,343,841
國家/地區
美國
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