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Optimized Vertical Power DMOSFETS in Silicon Carbide
总结
Researchers at Purdue University have developed a structure and method of fabrication of a vertical DMOSFET in silicon carbide that achieves minimum on-state resistance and maximum breakdown voltage.
技术优势
Increases breakdown voltage without increasing internal resistivityProvides consistent internal resistance at a greater operating temperature range
技术应用
MaterialsManufacturing
详细技术说明
James Cooper Jr.Purdue Electrical and Computer Engineering
国家
United States
申请号码
7,498,633
国家/地区
美国
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