Double Modulation Converter
- Summary
- InGaP/GaAs/Ge化合物太阳能电池，特点：转换效率高、耐高温、抗辐射、可靠性强。
CPV是通过聚光方式把一定面积上的光通过聚光系统汇聚在太阳能电池上太阳光经过500-1000倍聚焦后，将导致太阳能电池上的温度升高，转换效率下降。具有较好耐热性的以锗为衬底的三五族化合物电池，成为了高倍率CPV系统电池的必然选择。
包含聚光型太阳能系统用锗单晶生长和加工的全套技术，其中锗单晶生长技术、锗单晶片双面磨削技术、锗单晶片化学腐蚀技术、锗单晶片抛光技术和锗抛光片清洗技术为填补国内空白的自主研发技术，处于国际先进水平。
知识产权状况及获奖情况：
专利名称：一种锗单晶片位错腐蚀检测方法
专利号：200910170163
- Supplementary Information
- Patent Number: US5633791A
Application Number: US1995427876A
Inventor: Poon, Franki N. K. | Pong, Bryan M. H.
Priority Date: 26 Apr 1995
Priority Number: US5633791A
Application Date: 26 Apr 1995
Publication Date: 27 May 1997
IPC Current: H02M00075387
US Class: 36305602 | 363056 | 363017 | 363098 | 363132 | 363048
Title: Double modulation converter
Novelty: Double modulation converter, i.e. DC=AC converter, for driving AC=DC converter includes first whose closure switch causes pulse having first width and amplitude to appear across output terminals, and second switch whose closure causes pulse having second
- Industry
- Electronics
- Sub Category
- Circuit Design
- Application No.
- 专利名称：一种锗单晶片位错腐蚀检测方法
专利号：200910170163
- Country/Region
- Hong Kong
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