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Graphen Layer Formation On A Carbon Based Substrate
技術優勢
Outperforms the current fabrication methods that use Si/SiO2 substrates: retains thermal conductivity, improves current-carrying capacity of graphene-on-diamond devices, easy preparation & scalabilityOutperforms heat conduction of plastics by 600-times
詳細技術說明
None
申請號碼
8652946
其他
Images Applications Tech ID/UC Case 25912/2015-254-1 Related Cases 2015-254-1
國家/地區
美國

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