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SiC Power DMOSFETs with Self-Aligned Source Contacts
總結
Purdue University researchers have developed a novel design for DMOSFETs with self-aligning source contacts, which reduce the size of the source contacts and consequently reduces the specific-on resistance of the device.
技術優勢
Reduces specific on-resistanceIncrease yield Decreased cost
技術應用
Computer TechnologyCircuitryHardware
詳細技術說明
James Cooper Jr.Purdue Electrical and Computer Engineering
國家
United States
申請號碼
8,035,112
國家/地區
美國

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