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Improved Light effect transistor (LET)
详细技术说明
Application No.: 15/658,891The present disclosure relates generally to electronic and optoelectronic devices, and more particularly, to a particular type of photoconductive device, referred to as a light-effect transistor (LET), and to methods for using a LET to perform optical gating and optical analog operations.
国家/地区
美国
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