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Resist Materials for Next Generation Lithography


詳細技術說明

Several molecular glasses are disclosed for use as photoresists in semiconductor lithography, especially in the Extreme Ultraviolet (EUV) regime with a radiation range of 10 - 100 nm, enabling features smaller than 0.18 µm.


其他

  • Patent: 7,452,658;
  • Patent Application: 2007-032339;


國家/地區

美國

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