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Improved 3D Transistor
技术优势
Extremely low operating voltage which lowers operating powerAvoids costly and unusual substrate structures common in 2DLeverages conventional techniques to fabricate 3D transistors
技术应用
Mobile/Portable electronicsData centers and servers
详细技术说明
None
申请号码
20170162702
其他
Tech ID/UC Case 25614/2016-088-0 Related Cases 2016-088-0
国家/地区
美国
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