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采用接地導電柵网的直流等离子体离子注入裝置
标题
采用接地導電柵网的直流等离子体离子注入裝置
总结
This novel plasma immersion ion implantation technology is performed in a low pressure steady state direct current and long-pulse mode, with the help of a grounded / biased conducting grid positioned between the wafer stage and plasma source.
技术应用
•For use in microelectronics, biomedical, and materials industries
申请日期
22/09/2004
ID号码
ZL00106152.6
国家/地区
香港
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